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Si2377EDS-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si2377EDS-ME3的零件别名，该Si2377EDS GE3提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.8W，晶体管类型为1 P沟道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.4A（Tc），最大Id Vgs的Rds为61 mOhm@3.2A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为21nC@8V，Pd功耗为1.8 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Id连续漏极电流为-4.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为50 mOhm，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为14 nC，正向跨导最小值为12 S。
SI2377，带有AOS制造的用户指南。SI2377采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
Si2377EDS-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。Si2377EDS-T1-E3采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
