9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7615CDN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7615CDN-T1-GE3参考价格为0.57000美元。Vishay Siliconix SI7615CDN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8。您可以下载SI7615CDN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI7615CDN-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如SI7615ADN-T1-GE3库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
SI7613DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7613DN-1-GE3中使用的零件别名，该SI7613DN-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8以及Si技术中工作，其工作温度范围为-50°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为52.1W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为2620pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为35A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为8.7 mOhm@17A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为87nC@10V、Pd功耗为3.8 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为13 ns 9 ns，上升时间为40 ns 7 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为8.7 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为41 ns 42 ns，并且典型的开启延迟时间是43ns 14ns，并且信道模式是增强。
SI7611DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-40 V，提供典型的开启延迟时间功能，如47 ns 10 ns，典型的关闭延迟时间设计为28 ns 30 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在PowerPAKR 1212-8供应商器件包中提供，该器件具有串联的TrenchFETR，上升时间为150 ns 11 ns，Rds On Max Id Vgs为25 mOhm@9.3A，10V，Rds On Drain Source Resistance为25 m欧姆，功率最大值为39W，Pd功耗为3.7W，部件别名为SI7611DN-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR 1212-8，其工作温度范围为-50°C~150°C（TJ），通道数为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-50°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为1980pF@20V，Id连续漏极电流为9.3 A，栅极电荷Qg Vgs为62nC@10V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为12 ns 9 ns，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为18A（Tc），配置为单四漏极三源，并且信道模式是增强。
SI7613DN-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI7613DN-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
