FCPF11N60F

Name: FCPF11N60F
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7136445-FCPF11N60F
Price: 18.686682 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc）最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:5-7 工作日

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	18.68668	18.68668
10+	16.81801	168.18014
100+	13.51670	1351.67000
500+	11.10524	5552.62450
1000+	10.09573	10095.73300

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规格参数

长（英寸） -
制造厂商安盛美 (onsemi)
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
安装类别通孔
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
供应商设备包装 TO-220F-3
包装/外壳 TO-220-3全套
漏源电流 (Id) @ 温度 11A（Tc）
漏源电压标 (Vdss) 600 V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 52 nC @ 10 V
最大功耗 36W (Tc)
导通电阻 Rds(ON) 380毫欧姆 @ 5.5A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1490 pF @ 25 V
色彩/颜色银

FCPF11N60F 产品详情

SuperFET MOSFET是Fairchild Semiconductor的第一代高压超结（SJ）MOSFET家族，该家族利用电荷平衡技术实现卓越的低导通电阻和低栅极电荷性能。

这项技术旨在最小化传导损耗，提供优异的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。

因此，SuperFET MOSFET非常适合开关电源应用，如PFC、服务器/电信电源、FPD TV电源、ATX电源和工业电源应用。超级FET FRFET MOSFET的优化体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件并提高系统可靠性。

特色

600 V@TJ=150°C
类型。RDS（开启）=320 mΩ
快速恢复类型（trr=120 ns）
超低栅极电荷（典型Qg=40 nC）
低有效输出电容（典型cos（eff.）=95 pF）
100%雪崩测试
符合RoHS

应用

AC-DC电源
LCD/LED/PDP电视
照明
太阳能转化器

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型号	制造商	描述	价格
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FCPAPER5	海尔曼泰顿 (HellermannTyton)	POLISHING FILM	¥226.79853
FCPAPERSM	海尔曼泰顿 (HellermannTyton)	POLISHING FILM DIAMOND	¥507.04182
FCPUCKLC	海尔曼泰顿 (HellermannTyton)	POLISHING PUCK LC CONNECTORS	¥4,824.06112
FCPUCKSCST	海尔曼泰顿 (HellermannTyton)	POLISHING PUCK SC/ST CONNECTORS	¥418.20505
FCPL01250500	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX,1/2;1/4,1/2,1.250D	¥1,954.13442
FCPL02001000	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX;1;3/8,5/8,2.000D	¥2,525.23709
FCPL00750125	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX,1/8;1/8,3/16,.750D	¥2,793.58653
FCPL02000875	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX;7/8;3/8,5/8,2.000D	¥2,972.48616
FCPL02001125	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX,1-1/8;3/8,5/8,2.000D	¥3,344.04693

FCPF11N60F所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FCPF11N60F 由安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FCPF11N60F价格参考￥18.686682，你可以下载 FCPF11N60F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FCPF11N60F规格参数、现货库存、封装信息等信息！