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IPP60R385CP是MOSFET N-CH 650V 9A TO-220，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP60R485CPXK IPP60R185CPXKSA1 SP000082281中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为9A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为385mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IPP60R380P6是MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，其设计工作单位重量为0.211644 oz。数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及XPP60R380系列，该器件也可以用作380欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，零件别名为IPP60R380P6XKSA1 SP001017058，该设备采用管式封装，该设备具有TO-220-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为100 a。
IPP60R380P6XKSA1带有电路图，包括TO-220-3封装盒，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPP60R480P6 SP001017058的零件别名，该产品提供Si等技术特性，商品名设计用于CoolMOS。
IPP60R380E6=6R380E6，带有INF/EDA/CAD型号。IPP60R480E6=6R480E6可采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
