这些器件是使用新一代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET:MDmesh II Plus低Qg。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的带状布局相关联,从而产生世界上最低的导通电阻和栅极电荷。因此,它们适用于要求最高的高效率转换器。
特色
- 极低门电荷
- 较低RDS(on)xareavspreviousgeneration
- 低栅极输入电阻
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 22.01841 | 22.01841 |
10+ | 19.78036 | 197.80360 |
100+ | 16.20526 | 1620.52640 |
500+ | 13.79555 | 6897.77600 |
1000+ | 13.22133 | 13221.33500 |
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这些器件是使用新一代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET:MDmesh II Plus低Qg。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的带状布局相关联,从而产生世界上最低的导通电阻和栅极电荷。因此,它们适用于要求最高的高效率转换器。
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