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STW7N95K3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 950伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.2A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 50.33815 50.33815
10+ 45.22466 452.24668
100+ 37.05684 3705.68490
500+ 31.54558 15772.79100
1000+ 30.23258 30232.58900
  • 库存: 79
  • 单价: ¥45.77513
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥50.34
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 至247-3
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 100A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 34 nC @ 10 V
  • 最大功耗 150W(Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 950伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7.2A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.35欧姆@3.6A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1031 pF @ 100 V
  • 色彩/颜色 黑色

STW7N95K3 产品详情

新的SuperMESH3系列是通过进一步微调ST基于条形的PowerMESH布局和新的优化垂直结构而获得的。除了显著降低电阻外,还特别注意确保在最苛刻的应用中具有非常好的动态性能和非常大的雪崩能力。

特色

  • 100%雪崩测试
  • 网关费用最小化
  • 极大型雪崩性能
  • 齐纳保护
  • Verylowintrinsic电容
STW7N95K3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STW7N95K3 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STW7N95K3价格参考¥45.775128,你可以下载 STW7N95K3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STW7N95K3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...

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