9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP46N60M6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP46N60M6参考价格为7.06000美元。STMicroelectronics STP46N60M6封装/规格：MOSFET N-CH 600V 36A TO220。您可以下载STP46N60M6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP45NF3LL是MOSFET N-CH 30V 45A TO-220，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于管封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有25W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为21ns，上升时间为100ns，Vgs栅源电压为16V，Id连续漏电流为45A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为16m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为17ns，正向跨导最小值为20S，沟道模式为增强。
STP45NF06是MOSFET N-CH 60V 38A TO-220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为28 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件具有40纳秒的上升时间，漏极电阻Rds为28毫欧，Pd功耗为80瓦，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-65℃，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为38 A，正向跨导最小值为18 S，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STP45NE06L带有ST制造的电路图。STP45NE 06L采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
STP45NF06L带有ST制造的EDA/CAD模型。STP45NF-06L采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
