9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT34N80B2C3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT34N80B2C3G参考价格为10.15000美元。微芯片技术APT34N80B2C3G封装/规格：MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX。您可以下载APT34N80B2C3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APT34N80B2C3G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APT34M120J是分立半导体模块功率MOSFET-MOS8，包括功率MOSFET模块产品，它们设计用于1.058219盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于螺丝，提供Power MOS 8 ISOTOP等商品名称功能，包装箱设计用于SOT-227-4，以及单一配置，该器件也可以用作960W Pd功率耗散。此外，下降时间为90 ns，器件的上升时间为60 ns，器件具有30 V的Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为35 a，Vds漏极-源极击穿电压为1.2 kV，Vgs第栅极-源阈值电压为3 V，Rds漏极源极电阻为240 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为315ns，典型接通延迟时间为100ns。
APT34M60B是由APT制造的MOSFET N-CH 600V 36A TO-247。APT34M600B以TO-247-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 36A TO-247、N沟道600V 36A（Tc）624W（Tc）通孔TO-247[B]、分立半导体模块功率MOSFET-MOS8。
APT34N80B2C3是由APT制造的MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX。APT34N60B2C3以TO-247-3变体封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH800V 34A-T-MAX。
