9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT34F60B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT34F60B参考价格为12.60000美元。Microchip Technology APT34F60B封装/规格：MOSFET N-CH 600V 36A TO247。您可以下载APT34F60B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT34F100L是MOSFET N-CH 1000V 35A TO264，包括0.373904 oz单位重量，它们设计为通孔安装式，封装盒如数据表注释所示，用于to-264-3，提供Si等技术特性，配置设计为单级工作，以及1.135 kW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为38 ns，器件的上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为35 a，Vds漏极-源极击穿电压为1 kV，第Vgs栅极源极阈值电压为4 V，Rds漏极-源极电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为150ns，典型接通延迟时间为39ns，Qg栅极电荷为305nC，正向跨导最小值为39S，沟道模式为增强。
APT33N90JCU3是分立半导体模块功率模块-Coolmos，包括1200 V Vr反向电压，它们设计为在3.5 V Vgs栅源阈值电压下工作，Vgs栅-源电压如数据表注释所示，用于20 V，提供3.1 V等Vf正向电压功能，Vds漏-源击穿电压设计为在900 V下工作，除了1盎司的单位重量外，该设备还可以用作70纳秒的典型开启延迟时间。此外，典型的关断延迟时间为400ns，该器件为开关二极管类型，该器件具有N沟道晶体管极性，上升时间为20ns，Rds导通漏极源极电阻为120mOhms，Pd功耗为290W，封装外壳为ISOTOP-4，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为33A，下降时间为25ns。
APT34F100B2是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
