9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFB20N50KPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFB20N50KPBF参考价格为5.48000美元。Vishay Siliconix IRFB20N50KPBF封装/规格：MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB。您可以下载IRFB20N50KPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFB18N50KPBF是MOSFET N-Chan 500V 17 Amp，包括管封装，它们设计用于0.211644 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供220 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V至5V，Rds导通漏极-漏极电阻为290mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为120nC，正向跨导最小值为6.4S，并且信道模式是增强。
IRFB18N50K是MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如22 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为60 ns，器件的漏极电阻为290 mOhms，Pd功耗为220 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为17A，下降时间为30ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFB20N50K是MOSFET N-CH 500V 20A TO-220AB，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于23 ns，提供Id连续漏极电流功能，如20 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为280W，Rds漏极-源极电阻为250m欧姆，上升时间为74ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为22ns，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为30V。
