SCT30N120

Name: SCT30N120
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7136737-SCT30N120
Price: 169.121715 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 1200伏漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 270W（Tc）供应商设备包装: HiP247 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	186.07010	186.07010
10+	171.59878	1715.98787
100+	153.36840	15336.84080

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
场效应管特性 -
安装类别通孔
包装/外壳至247-3
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压标 (Vdss) 1200伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 20伏
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Tc)
最大栅源极电压 (Vgs) +25伏、-10伏
最大功耗 270W（Tc）
工作温度 -55摄氏度~200摄氏度（TJ）
供应商设备包装 HiP247
导通电阻 Rds(ON) 20A、20V时为100欧姆
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.6V@1毫安（典型）
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 105 nC@20 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1700 pF @ 400 V
色彩/颜色蓝色

SCT30N120 产品详情

SCT3030ALGC11是SiC（碳化硅）沟槽MOSFET。特点包括高压电阻、低导通电阻和快速开关速度。

特色

低导通电阻
快速切换速度
快速反向恢复
易于并行
易于驾驶
无铅铅镀层；符合RoHS

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型号	制造商	描述	价格
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SCT-0400-001	安代纳米 (Aim Dynamics)	电流检测: 1A 精确度: ±1% 用来测量: 交流电工作温度: -20摄氏度~110摄氏度	¥216.56271
SCT-0400-005	安代纳米 (Aim Dynamics)	电流检测: 5A 精确度: ±1% 用来测量: 交流电工作温度: -20摄氏度~110摄氏度	¥172.94348
SCT-0400-020	安代纳米 (Aim Dynamics)	电流检测: 20A 精确度: ±1% 用来测量: 交流电工作温度: -20摄氏度~110摄氏度	¥172.94348
SCT-0750-005	安代纳米 (Aim Dynamics)	电流检测: 5A 精确度: ±1% 用来测量: 交流电工作温度: -20摄氏度~110摄氏度	¥276.70325
SCT-0750-100	安代纳米 (Aim Dynamics)	电流检测: 100A 精确度: ±1% 用来测量: 交流电工作温度: -20摄氏度~110摄氏度	¥399.80808
SCT-0750-030	安代纳米 (Aim Dynamics)	电流检测: 30A 精确度: ±1% 用来测量: 交流电工作温度: -20摄氏度~110摄氏度	¥276.70325
SCT-0750-070	安代纳米 (Aim Dynamics)	电流检测: 70A 精确度: ±1% 用来测量: 交流电工作温度: -20摄氏度~110摄氏度	¥276.70325
SCT-0750-200	安代纳米 (Aim Dynamics)	电流检测: 200A 精确度: ±1% 用来测量: 交流电工作温度: -20摄氏度~110摄氏度	¥276.70325

SCT30N120所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SCT30N120 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SCT30N120价格参考￥169.121715，你可以下载 SCT30N120中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SCT30N120规格参数、现货库存、封装信息等信息！