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SI4401BDY-T1-E3是MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于SI4401BDY-E3的零件别名，该SI4401BDY-E3提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装类型的表面安装，通道数为1通道，供应商设备包为8-SO，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.5W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为40V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为8.7A（Ta），最大Id Vgs的Rds为14mOhm@10.5A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为55nC@5V，Pd功耗为1.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为15纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V，Rds导通漏极-电源电阻为14 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为97 ns，典型接通延迟时间为16 ns，沟道模式为增强型。
SI4401BDY-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI4401BDY-T1-E3。SOP8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI4401BDY-T1-E3..，带有VISHAY制造的电路图。SOP-8中提供了SI4401BDY-T1-E3。封装，是IC芯片的一部分。
