9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS407ADN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS407ADN-T1-GE3参考价格为0.93000美元。Vishay Siliconix SIS407ADN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8。您可以下载SIS407ADN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIS406DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK，包括SISxxxDN系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名显示在SIS406DN-GE3中使用的数据表注释中，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于PowerPAK-1212-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为9 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极导通电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为20ns，沟道模式为增强型。
SIS406DN-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SIS406DN-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SIS406DN-T1-GE3-S，带有VISHAY制造的电路图。SIS406DN-T1-GE3-S采用DFN8封装，是IC芯片的一部分。
