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MSC025SMA120S

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 89A (Tc) 供应商设备包装: D3PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 微芯 (Microchip)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 271.10174 271.10174
100+ 244.99254 24499.25410
  • 库存: 0
  • 单价: ¥271.10175
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥271.10
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 制造厂商 微芯 (Microchip)
  • 包装/外壳 至268-3,DPak(2根引线+接线片),TO-268AA
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 89A (Tc)
  • 供应商设备包装 D3PAK
  • 色彩/颜色 -

MSC025SMA120S 产品详情

Microsemi SiC肖特基势垒二极管(SBD)提供了优于传统硅功率二极管的动态和热性能。SiC(碳化硅)势垒二极管由硅(Si)和碳(C)组成。与纯硅器件相比,SiC器件提供了更大的介电击穿场强、更高的带隙和更高的热导率。SiC肖特基二极管具有零正向和反向恢复电荷,这减少了二极管开关损耗。这些设备还提供独立于温度的开关,确保稳定的高温性能。
MSC025SMA120S所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MSC025SMA120S 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MSC025SMA120S价格参考¥271.101747,你可以下载 MSC025SMA120S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MSC025SMA120S规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...

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