SI4174DY-T1-GE3

Name: SI4174DY-T1-GE3
Brand: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
SKU: 7136823-SI4174DY-T1-GE3
Price: 3.189773 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc）最大功耗: 2.5W（Ta），5W（Tc）供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
制造厂商威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
供应商设备包装 8-SOIC
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 27 nC@10 V
漏源电流 (Id) @ 温度 17A（Tc）
导通电阻 Rds(ON) 9.5毫欧姆 @ 10A, 10V
最大功耗 2.5W（Ta），5W（Tc）
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 985 pF@15 V
色彩/颜色 -

SI4174DY-T1-GE3 产品详情

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SI4174DY-T1-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SI4174DY-T1-GE3 由威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SI4174DY-T1-GE3价格参考￥3.189773，你可以下载 SI4174DY-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SI4174DY-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！