9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF540PBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF540PBF-BE3参考价格为2.25000美元。Vishay Siliconix IRF540PBF-BE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB。您可以下载IRF540PBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF540NSTRRPBF是MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供3.8 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为35纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为33 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为44mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为39ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为47.3nC，正向跨导最小值为21S，并且信道模式是增强。
IRF540NSTRLPBF是MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作44mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为47.3 nC，该器件提供3.8 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为33 a。
IRF540NSTRPBF带有由IR制造的电路图。IRF540INSTRPBF以TO263封装形式提供，是IC芯片的一部分。
