9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2365EDS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2365EDS-T1-GE3参考价格为0.42000美元。Vishay Siliconix SI2365EDS-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236。您可以下载SI2365EDS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2356DS-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-236，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.7W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为370pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.3A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为51 mOhm@3.2A，10V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为13nC@10V，Pd功耗为1.7 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为53 ns，上升时间为52 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为4.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.5 V，Rds漏极源极电阻为56 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为8.1nC，正向跨导Min为13S。
SI2356，带有VISHAY制造的用户指南。SI2356采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
Si2356DS，电路图由VISHAY制造。Si2356DS采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
