9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17307Q5A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17307Q5A参考价格为0.90000美元。德州仪器CSD17307Q5A封装/规格：MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON。您可以下载CSD17307Q5A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD17306Q5A是MOSFET N-CH 30V 100A 8SON，包括CSD17306Q 5A系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于VSON-FET-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.2W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为24 a，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.1V，Rds导通漏极-源极电阻为4.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18.4ns，典型接通延迟时间为7.8ns，Qg栅极电荷为11.8nC，正向跨导Min为105S。
CSD17305Q5A是MOSFET N-CH 30V 100A 8SON，包括1.1 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如8.9 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD17305Q5A系列，Rds漏极-源极电阻为2.8 mOhms，Qg栅极电荷为14.1 nC，Pd功耗为3.1 W，包装为卷轴式，封装盒为VSON-FET-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，它的最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为29 A，正向跨导最小值为139 S，配置为单一。
CSD17307带有TI制造的电路图。CSD17307采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
