9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF9540PBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF9540PBF-BE3参考价格为2.25000美元。Vishay Siliconix IRF9540PBF-BE3封装/规格：MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB。您可以下载IRF9540PBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF9540NSTRRPBF是MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供3.8 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为51 ns，上升时间为67 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-23 A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Vgs栅极-源极阈值电压为-4V，Rds导通漏极-漏极电阻为117mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为51ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为64.7nC，正向跨导最小值为5.3S，沟道模式为增强。
IRF9540NSTRLPBF是MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作117毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为64.7 nC，该器件提供3.8 W Pd功耗，该器件具有一个封装卷轴，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为-23A。
IRF9540NSTRPBF带有由IR制造的电路图。IRF9540INSTRPBF以TO263封装形式提供，是IC芯片的一部分。
