9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM100UM45DAG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM100UM45DAG参考价格为380.68000美元。微芯片技术APTM100UM45DAG封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 215A SP6。您可以下载APTM100UM45DAG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTM100TA35SCTPG，带引脚细节，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于模块，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于底盘安装，以及SP6-P供应商设备包，该器件也可以用作6N沟道（3相桥）FET型。此外，功率最大值为390W，器件提供1000V（1kV）漏极到源极电压Vdss，器件具有5200pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为22A，最大Id Vgs上的Rds为420 mOhm@11A，10V，Vgs最大Id为5V@2.5mA，栅极电荷Qg-Vgs为186nC@10V。
APTM100TA35FPG带用户指南，包括5V@2.5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP6-P供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于420 mOhm@11A，10V，提供功率最大功能，如390W，包装设计用于散装，以及SP6包装箱，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供5200pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有186nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为6 N沟道（三相桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为1000V（1kV），25°C电流连续漏极Id为22A。
APTM100TDU35PG，带电路图，包括22A电流连续漏极Id 25°C，设计用于1000V（1kV）漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如6 N沟道（3相桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于186nC@10V，除了5200pF@25V输入电容Cis Vds之外，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP6封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为390W，Rds On Max Id Vgs为420 mOhm@11A，10V，供应商设备封装为SP6-P，Vgs th Max Id为5V@2.5mA。
