Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
特色
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 针对10V栅极驱动电压（称为正常电平）进行了优化
- 硅优化用于低于100KHz的应用切换
- 与上一代硅相比，更柔软的体二极管
- 行业标准表面安装电源组件
IRFH7085TRPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 156W（Tc） 供应商设备包装: PQFN（5x6） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 15.57223 | 15.57223 |
| 10+ | 13.95706 | 139.57068 |
| 100+ | 11.22070 | 1122.07010 |
| 500+ | 9.21876 | 4609.38150 |
| 1000+ | 8.77984 | 8779.84300 |
| 4000+ | 8.77984 | 35119.37200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥13.54422
-
数量:
- +
- 总计: ¥15.57
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 8-PowerVDFN
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 100A（Tc）
- 最大功耗 156W（Tc）
- 供应商设备包装 PQFN（5x6）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 165 nC@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 3.2毫欧姆@75A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6460 pF @ 25 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.7V @ 150A
- 色彩/颜色 -
IRFH7085TRPBF 产品详情
N沟道功率MOSFET 60V至80V，英飞凌
IRFH7085TRPBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
 | IRF3205PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
| IRFU7746PBF | TRENCH 40<-<100V | ¥3.59458 | |
| IRF60B217 | TRENCH 40<-<100V | ¥4.0955 | |
| IRFI3306GPBF | IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL | ¥12.35349 | |
| IRFZ46ZSPBF | IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE | ¥4.76061 | |
 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRFH7085TRPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFH7085TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFH7085TRPBF价格参考￥13.544223，你可以下载 IRFH7085TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFH7085TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
