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BS107PSTZ

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120毫安(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: E-Line (TO-92 compatible) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.24290 7.24290
10+ 6.35202 63.52023
100+ 4.86795 486.79530
500+ 3.84815 1924.07650
1000+ 3.07852 3078.52200
2000+ 2.78989 5579.78600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.24290
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.24
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 最大功耗 500mW (Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 120毫安(Ta)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.6伏、5伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 30欧姆 @ 100毫安, 5V
  • 供应商设备包装 E-Line (TO-92 compatible)
  • 包装/外壳 E-Line-3
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 85 pF @ 25 V
  • 色彩/颜色 -

BS107PSTZ 产品详情

特色


● BVDSS>200V
● RDS(开)≤23Ω@VGS=2.6V
● ID=120mA最大持续漏电流
● 完全无铅且完全符合RoHS(注释1和2)
● 无卤素和锑。“绿色”设备(注3)
● 符合AEC-Q101高可靠性标准

BS107PSTZ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BS107PSTZ 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BS107PSTZ价格参考¥7.242900,你可以下载 BS107PSTZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BS107PSTZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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