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SSM3J356R,LF

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23F 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.81435 1.81435
10+ 1.49076 14.90763
30+ 1.35214 40.56444
100+ 1.17905 117.90570
600+ 1.10212 661.27380
1200+ 1.05588 1267.06080
  • 库存: 11955
  • 单价: ¥1.81435
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.81
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@1毫安
  • 最大功耗 1W(Ta)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Ta)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 导通电阻 Rds(ON) 300毫欧姆 @ 1A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 330 pF @ 10 V
  • 包装/外壳 SOT-23-3扁平导线
  • 供应商设备包装 SOT-23F
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +10伏、-20伏
  • 色彩/颜色 -

SSM3J356R,LF 产品详情

东芝的60 V SSM3K341和100 V SSM3K361是低导通电阻的工业功率MOSFET,适用于电视和工业照明中的负载切换。它们也是需要低到中等功率的工业自动化系统的理想选择。对节能led的需求不断增加,导致N沟道MOSFET作为led驱动器的开关的使用越来越多。根据东芝2016年进行的一项内部研究,东芝的SSM3K341R和SSM3K361R分别为36mΩ和65mΩ的SOT-23F封装(@VGS=4.5V)提供了业界最佳的典型RDS(ON)额定值,满足了这一需求。此外,这两种设备都支持+175°C的最大通道温度,这使它们能够在各种具有挑战性的工业应用中使用。它们还可采用UDFN6封装,该封装更紧凑,但通过底部的大型金属块提供了卓越的散热。与东芝之前的产品相比,SOT-23F封装可减少约65%的开机损耗所导致的散热。与传统SOT-89封装相比,这些MOSFET的小封装尺寸保持了相同的散热水平,同时减少了大约64%的总占地面积。TSOP6F是SSM6N815R的类似高性能封装,其中包含两个100 V N沟道MOSFET<strong>特点:</strong>小型N沟道功率MOSFET,行业标准SOT-23F封装,适用于60 V/6 A和100 V/3.5 A应用,耐高温,信道温度敢达+175°C,行业领先的导通电阻SSM3K341R和SSM6K341NU导通电阻通常为36 mΩ,高温工业和工业自动化,用于升压电路的同步/异步开关,用于电视屏幕的白色LED背光,高压开关

特色

  • 装配底座:-2.0 V
  • 装配底座:300 mΩ
  • 装配底座:360 mΩ
  • 装配底座:400 mΩ
  • 装配底座:330 pF
  • 装配底座:8.3 nC

应用

电源管理开关
SSM3J356R,LF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SSM3J356R,LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM3J356R,LF价格参考¥1.814354,你可以下载 SSM3J356R,LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM3J356R,LF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

东芝 (Toshiba)

东芝 (Toshiba)

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