DMP10H4D2S-7

规格参数

• 长（英寸） -
• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压标 (Vdss) 100伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 场效应管类型 P-通道
• 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
• 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
• 供应商设备包装 SOT-23-3
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
• 漏源电流 (Id) @ 温度 270毫安（Ta）
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.8 nC@10 V
• 最大功耗 380mW (Ta)
• 导通电阻 Rds(ON) 4.2欧姆 @ 500毫安, 10V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 87 pF @ 25 V
• 色彩/颜色 -