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SI7112DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8，包括SI71xxDx系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于SI7112DN-1GE3的零件别名，该SI7112DN-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAK-1212-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为11.3 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极导通电阻为7.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强型。
SI7112DN-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于10 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如65 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为SI71xxDx，器件的上升时间为10ns，器件的漏极-源极电阻为7.5mOhms，Pd功耗为1.5W，零件别名为SI7112DN-T1，包装为卷轴，封装盒为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为11.3 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7113DN，带有SI制造的电路图。SI7113DN可在QFN1212-8封装中获得，是FET的一部分-单个。
