9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS447DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS447DN-T1-GE3参考价格为0.97000美元。Vishay Siliconix SIS447DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8。您可以下载SIS447DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIS443DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如数据表说明所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如PowerPAKR 1212-8。技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在PowerPAKR 1212-8供应商设备包中提供，该设备具有MOSFET P信道，FET型金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为1 P信道，漏极到源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为4370pF@220V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为35A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为11.7 mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为2.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为135nC@10V，Pd功耗为52 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-35A，Vds漏极-源极击穿电压为-40V，Vgs第th栅极-源阈值电压为-1V至-2.3V，Rds导通漏极-漏极电阻为16m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为48ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为41.5nC，正向跨导Min为50S。
SIS444DN-T1-GE3是MOSFET N沟道30V，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了卷盘、通道数等封装功能，设计为在1沟道中工作。
SIS4410DC-T1，带有KEXIN制造的电路图。SIS4410DC-T1采用CHIP8L封装，是IC芯片的一部分。
SIS4435A，带有SIAI制造的EDA/CAD模型。SIS4435A采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
