9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR440DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR440DP-T1-GE3参考价格为2.11000美元。Vishay Siliconix SIR440DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8。您可以下载SIR440DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR438DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8，包括SIRxxxDP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR438DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为5.4W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20ns，上升时间为21ns，Vgs栅源电压为20V，Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为41ns，典型接通延迟时间为37ns，正向跨导最小值为90S，沟道模式为增强。
SIR432DP-T1-GE3是由VIS制造的MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8。SIR432DP-T1-GE3在PowerPAK®SO-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8、N沟道100V 28.4 A（Tc）5W（Ta）、54W（Tc）表面安装PowerPAK？SO-8，Trans MOSFET N-CH 100V 8.6A 8引脚PowerPAK SO T/R。
SiR438DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SiR438DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
