9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2347DS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2347DS-T1-GE3参考价格为0.45000美元。Vishay Siliconix SI2347DS-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3。您可以下载SI2347DS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si2347DS-T1-GE3是MOSFET-30V.042Ohm@10V5A P-Ch G-III，包括卷筒包装，其设计为单位重量为0.050717盎司，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SOT-23-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-3.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1 V至-2.5 V，Rds导通漏极-漏极电阻为68 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为19 ns，典型接通延迟时间为6 ns，Qg栅极电荷为6.9 nC，正向跨导最小值为10 S。
SI2343DS-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为31 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在15 ns上升时间内提供，该器件具有53 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为750 mW，零件别名为SI2343DS-GE3，封装为卷轴，封装外壳为SOT-23-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为3.1A，下降时间为20ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
Si2343DS-T1-E3/F3，电路图由30000VISHAY制造。Si2343DS-T1-E3/F3采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
SI2344DS-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI2344DS-E3采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
