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RHU002N06FRAT106

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: UMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.62145 3.62145
10+ 2.67987 26.79873
100+ 1.51593 151.59390
500+ 1.00386 501.93300
1000+ 0.76963 769.63100
3000+ 0.66924 2007.73200
6000+ 0.60232 3613.92000
  • 库存: 1
  • 单价: ¥3.62145
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.62
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 包装/外壳 SC-70,SOT-323
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15 pF@10 V
  • 最大功耗 200mW(Ta)
  • 供应商设备包装 UMT3
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.4欧姆@200毫安,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.4 nC @ 10 V

RHU002N06FRAT106 产品详情

MOSFET通过适用于低电流消耗移动设备的微处理技术制成超低导通电阻。在广泛的阵容中,包括紧凑型、高功率型和复杂型,以满足市场需求。

特色

  • 4.V-驱动器类型
  • Nch小信号MOSFET
  • 小型表面安装组件
  • 无铅/符合RoHS
RHU002N06FRAT106所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RHU002N06FRAT106 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RHU002N06FRAT106价格参考¥3.621450,你可以下载 RHU002N06FRAT106中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RHU002N06FRAT106规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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