9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRL640SPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRL640SPBF价格参考2.41000美元。Vishay Siliconix IRL640SPBF封装/规格：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK。您可以下载IRL640SPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRL640PBF是MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供125 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为52 ns，上升时间为83 ns，Vgs栅源电压为10 V，Id连续漏电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为180mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为44ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
IRL640NS带有IR制造的用户指南。IRL640NSTO-263封装，是IC芯片的一部分。
IRL640S是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK。IRL640S可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 17B D2PAK、N沟道200V 17C（Tc）3.1W（Ta）、125W（Tc）表面安装D2PAK，Trans MOSFET N-CH200V 17A 3-Pin（2+Tab）D2PAK。
