DN2535N5-G是一种低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力和MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点，该器件没有热失控和热引起的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的广泛开关和放大应用。
特色
- 高输入阻抗
- 低输入电容
- 快速切换速度
- 低导通电阻
- 无二次击穿
- 低输入和输出泄漏
DN2535N5-G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 350伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Tj) 最大功耗: 15W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 微芯 (Microchip)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 12.74750 | 12.74750 |
| 25+ | 10.59781 | 264.94527 |
| 100+ | 9.64030 | 964.03000 |
- 库存: 495
- 单价: ¥11.58864
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.75
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 场效应管特性 耗尽型
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 制造厂商 微芯 (Microchip)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 300 pF @ 25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 500毫安 (Tj)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 0伏
- 漏源电压标 (Vdss) 350伏
- 最大功耗 15W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 25欧姆@120毫安，0伏
- 色彩/颜色 银
DN2535N5-G 产品详情
DN2535N5-G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DN230-20GP | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥27.93384 |
| DN230-28GP | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥1,171.44926 |
| DN230-36GP | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥182.15894 |
| DN230-50GP | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥285.36736 |
| DN231-GP | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥530.18028 |
| DN231-PB | 广赖 (Hirose) | TOOLING | ¥284.60251 |
| DN20B-20S(50) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE RCPT POS T/H | ¥87.5232 |
| DN20B-36S(50) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE RCPT POS T/H | ¥134.99317 |
| DN20B-50S(50) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE RCPT POS T/H | ¥83.06158 |
| DN20B-50S(51) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE RCPT POS T/H | ¥118.36347 |
DN2535N5-G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DN2535N5-G 由 微芯 (Microchip) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DN2535N5-G价格参考￥11.588640，你可以下载 DN2535N5-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DN2535N5-G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...
