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FDP42AN15A0

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta), 35A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 19.33854 19.33854
10+ 17.39744 173.97446
100+ 13.98531 1398.53160
500+ 11.49013 5745.06850
1000+ 10.44556 10445.56600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥17.60025
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥19.34
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 包装/外壳 至220-3
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 39 nC @ 10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 150伏
  • 最大功耗 150W(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2150 pF@25 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5A (Ta), 35A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 42毫欧姆 @ 12A, 10V
  • 色彩/颜色 -

FDP42AN15A0 产品详情

N沟道PowerTrench®MOSFET 150 V,35 A,42 mΩ

特色

  • RDS(开启)=36mΩ (典型)@VGS=10V,ID=12A
  • QG(tot)=33nC(典型值)@VGS=10V
  • 低米勒电荷
  • 低Qrr体二极管
  • UIS能力(单脉冲和重复脉冲)

应用

  • 家用电器
  • 汽车发动机控制
  • 动力传动系管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 集成启动器/交流发电机
  • 12V系统的主开关
FDP42AN15A0所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDP42AN15A0 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDP42AN15A0价格参考¥17.600247,你可以下载 FDP42AN15A0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDP42AN15A0规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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