久芯网

IRLML9303TRPBF

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A(Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: Micro3/SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
100+ 0.96778 96.77890
1000+ 0.91301 913.01100
3000+ 0.81258 2437.74300
10000+ 0.62581 6258.16000
50000+ 0.59039 29519.55000
  • 库存: 8900
  • 单价: ¥0.86842
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.87
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2 nC @ 4.5 V
  • 最大功耗 1.25W(Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.3A(Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 160 pF @ 25 V
  • 供应商设备包装 Micro3/SOT-23
  • 导通电阻 Rds(ON) 165毫欧姆@2.3A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@10A.
  • 色彩/颜色 蓝色

IRLML9303TRPBF 产品详情

P沟道功率MOSFET 30V,英飞凌

英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的P沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 超级逻辑电平:针对4.5 V栅极驱动电压进行优化,能够提供2.5 V栅极驱动
  • 与高端配置中的N通道相比,降低了设计复杂性
  • 与N通道相比,微控制器接口更简单
  • 行业标准表面安装组件
  • 能够进行波峰焊接
IRLML9303TRPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRLML9303TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRLML9303TRPBF价格参考¥0.868424,你可以下载 IRLML9303TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRLML9303TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
会员中心 微信客服
客服
回到顶部