9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7115DN-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7115DN-T1-E3参考价格为2.17000美元。Vishay Siliconix SI7115DN-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8。您可以下载SI7115DN-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si7115DN-T1-E3是MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8，包括SI71xxDx系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于Si7115DN-E3的零件别名，该Si7115DN-13提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAK-1212-8以及Si技术，该器件还可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有3.7W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-50 C，下降时间为34 ns 35 ns，上升时间为95 ns 28 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为2.3A，Vds漏极-源极击穿电压为-150V，Rds导通漏极-电源电阻为295mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为38ns 52ns，典型接通延迟时间为20ns 11ns，沟道模式为增强型。
SI7114DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于10 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如45 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为SI71xxDx，器件的上升时间为10ns，器件的漏极-源极电阻为7.5mOhms，Pd功耗为1.5W，零件别名为SI7114DN-GE3，包装为卷轴式，封装盒为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为11.7 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的SI7114DN-T1-GE3-S SI7114ND-T1-GE3-S可在QFN封装中获得，是IC芯片的一部分。
SI-7115B，带有SANKEN制造的EDA/CAD模型。SI-7115B在SIP包中提供，是模块的一部分。
