久芯网

MMBF2201NT1G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.82473 2.82473
10+ 2.26702 22.67028
100+ 1.54273 154.27380
500+ 1.15683 578.41800
1000+ 0.86762 867.62700
3000+ 0.79534 2386.02900
6000+ 0.76687 4601.26800
  • 库存: 43
  • 单价: ¥3.54902
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.82
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 SC-70,SOT-323
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 300毫安 (Ta)
  • 最大功耗 150mW(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@250A.
  • 导通电阻 Rds(ON) 1欧姆@300毫安,10伏
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 45 pF @ 5 V
  • 供应商设备包装 SC-70-3(SOT323)

MMBF2201NT1G 产品详情

MMBF2201NT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MMBF2201NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MMBF2201NT1G价格参考¥3.549021,你可以下载 MMBF2201NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MMBF2201NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部