DMP56D0UFB-7

规格参数

• 长（英寸） -
• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 场效应管类型 P-通道
• 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安（Ta）
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
• 漏源电压标 (Vdss) 50 V
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4伏
• 供应商设备包装 X1-DFN1006-3
• 包装/外壳 3-UFDFN
• 导通电阻 Rds(ON) 6欧姆 @ 100毫安, 4V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.58 nC@4 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50.54 pF @ 25 V
• 最大功耗 425mW (Ta)
• 色彩/颜色 -