9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP21D0UFD-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP21D0UFD-7参考价格为0.53000美元。Diodes Incorporated DMP21D0UFD-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN。您可以下载DMP21D0UFD-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMP21D0UFB4-7B是MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN，包括DMP21系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如3-XFDFN，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在X2-DFN1006-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道、金属氧化物，最大功率为430mW，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为80pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为770mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为495 mOhm@400mA，4.5V，Vgs最大Id为700mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.54nC@8V，Pd功耗为990 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间18.5 ns，上升时间8 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-8 V，Id连续漏极电流为-1.17 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs第栅极-源阈值电压为-0.7 V，Rds导通漏极-漏极电阻为960 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为31.7 ns，典型导通延迟时间为7.1 ns，Qg栅极电荷为1.5nC，正向跨导Min为50mS，信道模式为增强。
DMP21D0UFB-7B是MOSFET 20V P-Ch Enh FET Pd.43W-8Vgss-5.0A，包括-700mV Vgsth栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-8 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-20 V，提供典型的开启延迟时间特性，如7.1 ns，典型的关断延迟时间设计为31.7ns，以及1P沟道ESD晶体管类型，该器件也可用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMP21D0UFB系列，该器件的上升时间为8 ns，漏极-源极电阻Rds为960 mOhms，Qg栅极电荷为1.5 nC，Pd功耗为430 mW，封装为卷轴式，封装盒为X1-DFN1006-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为-770 mA，正向跨导最小值为50 mS，下降时间为18.5 ns，配置为1 P通道ESD，通道模式为增强。
DMP21D0UFB-7是MOSFET MOSFET P-CH，包括1.17 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了用于X1-DFN1006-2的封装盒，该封装盒提供了卷盘、Rds漏极电阻等封装功能，设计用于960 mOhms，以及DMP21系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为P沟道，器件提供20 V Vds漏极-源极击穿电压。
