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SI2371EDS-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET功率MOSFET，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.7W，晶体管类型为1个P通道，漏极-源极电压Vdss为30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.8A（Tc），最大Id Vgs的Rds为45mOhm@3.7A，10V，Vgs的最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为35nC@10V，Pd功耗为1.7W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为62 ns，上升时间为65 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为-4.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅-源极阈值电压为-0.6 V至-1.5 V，Rds漏极源极电阻为45 mOhms，并且晶体管极性是P沟道，并且典型关断延迟时间是47ns，并且典型接通延迟时间是28ns，并且Qg栅极电荷是10.6nC，并且沟道模式是增强。
Si2367DS-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于-0.4 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于8 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如-20 V，单位重量设计用于0.050717盎司，该器件也可以用作35ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件提供P沟道晶体管极性，该器件具有技术硅，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），系列为TrenchFETR，上升时间为9 ns，Rds On Max Id Vgs为66 mOhm@2.5A，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为66 m欧姆，Qg栅极电荷为15 nC，功率最大为1.7W，Pd功耗为1.7 W，零件别名为SI2367DS-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，输入电容Cis-Vds为561pF@10V，Id连续漏极电流为3.8 A，栅极电荷Qg-Vgs为23nC@8V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为9 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏极Id为3.8A（Tc），配置为单通道，通道模式为增强型。
Si2369DS-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236，包括7.6A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如MOSFET P沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了-7.6 A Id连续漏极电流外，该器件还可以用作1295pF@15V输入电容Cis-Vds。此外，安装类型为表面安装，设备提供1个通道数量的通道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为2.5W，漏极电阻为29 mOhm，最大Id Vgs为29 mOhm@5.4A，10V，该系列为TrenchFETR，供应商器件封装为TO-236，技术为Si，商品名为Trench FET，晶体管极性为P通道，晶体管类型为1 P通道，单位重量为0.050717盎司，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs th最大Id为2.5V@250μA。
SI2372DS-T1-GE3具有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计用于卷筒包装。
