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NTS4173PT1G

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A(Ta) 最大功耗: 290mW(Ta) 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 16.57610 16.57610
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 包装/外壳 SC-70,SOT-323
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、10伏
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 430 pF @ 15 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.1 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.2A(Ta)
  • 最大功耗 290mW(Ta)
  • 供应商设备包装 SC-70-3(SOT323)
  • 导通电阻 Rds(ON) 150欧姆@1.2A,10V
  • 色彩/颜色 -

NTS4173PT1G 产品详情

P沟道功率MOSFET,30V至500V,ON半导体

特色

  • SC−70封装中的−30 V BVds,低RDS(开启)
  • 低阈值电压
  • 快速切换速度

应用

  • 负载开关
  • 低电流逆变器和DC-DC转换器
  • 电源开关
  • 打印机
  • 通讯器材
NTS4173PT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTS4173PT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTS4173PT1G价格参考¥16.576101,你可以下载 NTS4173PT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTS4173PT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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