9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR870ADP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR870ADP-T1-GE3参考价格为2.19000美元。Vishay Siliconix SIR870ADP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8。您可以下载SIR870ADP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR866DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8，包括SIRxxxDP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR866DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为5.4W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为49 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为20V、Rds导通-漏极-漏极电阻为20.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为66ns，典型导通延迟时间为42ns，正向跨导最小值为78S，沟道模式为增强型。
SIR862DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870 oz，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及TrenchFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为2.8 mOhms，该器件提供5.2 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为32A，并且配置为Single。
SIR866DP带有SI制造的电路图。SIR866DP以QFN-8封装形式提供，是FET的一部分-单个。
SIR866DP-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SIR866DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
