9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2301CDS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2301CDS-T1-GE3参考价格为0.41000美元。Vishay Siliconix SI2301CDS-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3。您可以下载SI2301CDS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2301CDS-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2301CDS E3的部件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.6W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为405pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.1A（Tc），最大Id Vgs的Rds为112mOhm@2.8A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为10nC@4.5V，Pd功耗为860mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为35 ns，上升时间为35纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-2.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为112 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为11ns，信道模式为增强。
SI2301CDS-T1，带有VISHAY制造的用户指南。SI2301CDS-T1在SOT23封装中提供，是FET的一部分-单个。
Si2301CDS-T1-E3/N1，电路图由30000VISHAY制造。Si2301CDS-T1-E3/N1采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
