9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2333DS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2333DS-T1-GE3参考价格为0.91000美元。Vishay Siliconix SI2333DS-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3。您可以下载SI2333DS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2333DS-T1-E3是MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI2333DS-M1中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为750mW，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为1100pF@6V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为4.1A（Ta），最大Id Vgs的Rds为32 mOhm@5.3A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为18nC@4.5V，Pd功耗为750 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为45 ns，上升时间为45纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为4.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，Rds漏极源极电阻为32 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为25ns，信道模式为增强。
SI2333DS-T1-E，带有VISHAY制造的用户指南。SI2333DS-T1-E采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
Si2333DS-T1-E3/E3，电路图由30000VISHAY制造。Si2333DS-T1-E3/E3采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
