特色
- 8.4安培，30伏特
- RDS（ON）=22 mΩ@VGS=10 V
- RDS（ON）=30 mΩ@VGS=4.5 V
- 快速切换速度
- 低栅极电荷
- 用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术
- 高功率和电流处理能力
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDS6612A
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.09804 | 7.09804 |
| 10+ | 6.22889 | 62.28894 |
| 100+ | 4.77524 | 477.52440 |
| 500+ | 3.77485 | 1887.42750 |
| 1000+ | 3.01985 | 3019.85500 |
| 2500+ | 3.00276 | 7506.90250 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.09804
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.10
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 最大功耗 2.5W（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.6 nC @ 5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 560 pF @ 15 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8.4A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 22毫欧姆@8.4A，10V
FDS6612A 产品详情
该N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺生产，该工艺经过特别定制，以最小化导通电阻，同时保持优异的开关性能。这些设备非常适合低电压和电池供电的应用，其中需要低在线功率损耗和快速切换。
FDS6612A 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDS-312 | 乔纳德 (Jonard Tools) | FIBER DROP CABLE STRIPPER (3.1MM | ¥202.43906 |
 | FDSM012P2 | 百通 (Belden) | FD M_D OS2 12F OFNP SU_3. | ¥4.92517 |
| FDSY006RF | 百通 (Belden) | FD TO_CPE OS2 6F OFNR | ¥22.09085 |
| FDST012RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 12F OFNR | ¥23.39457 |
| FDSY008RF | 百通 (Belden) | FD OS2 TO_CPE 8F OFNR | ¥24.481 |
| FDST036RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 36F OFNR | ¥39.03923 |
| FDSM006P2 | 百通 (Belden) | FD MD_LT OS2 6F OFNP NON_UNI | ¥2.35438 |
| FDSB006LB | 百通 (Belden) | FD BO OS2 6F LSZH SU_2.0 | ¥17.02082 |
| FDST004RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 4F OFNR | ¥17.2381 |
| FDST024RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 24F OFNR | ¥31.14447 |
FDS6612A所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDS6612A 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDS6612A价格参考￥7.098042，你可以下载 FDS6612A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDS6612A规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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