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IRFI640GPBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.8A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.74989 4.74989
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9.8A (Tc)
  • 最大功耗 40W (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1300 pF@25 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 70 nC @ 10 V
  • 包装/外壳 TO-220-3全包装,独立接线片
  • 导通电阻 Rds(ON) 180毫欧姆@5.9A,10V
  • 色彩/颜色 -

IRFI640GPBF 产品详情

IRFI640GPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRFI640GPBF 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRFI640GPBF价格参考¥4.749894,你可以下载 IRFI640GPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRFI640GPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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