久芯网

TPN13008NH,L1Q

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 700mW (Ta), 42W (Tc) 供应商设备包装: 8-TSON Advance (3.1x3.1) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.31532 7.31532
10+ 6.51136 65.11367
100+ 5.07582 507.58240
500+ 4.19306 2096.53000
1000+ 3.31036 3310.36700
2000+ 3.08967 6179.35200
5000+ 3.00942 15047.12500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.31533
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.32
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 漏源电压标 (Vdss) 80 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 18A(Tc)
  • 供应商设备包装 8-TSON Advance (3.1x3.1)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 200A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1600 pF @ 40 V
  • 最大功耗 700mW (Ta), 42W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 13.3M欧姆@9A、10V
  • 色彩/颜色 -

TPN13008NH,L1Q 产品详情

TPN13008NH,L1Q所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TPN13008NH,L1Q 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TPN13008NH,L1Q价格参考¥7.315329,你可以下载 TPN13008NH,L1Q中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TPN13008NH,L1Q规格参数、现货库存、封装信息等信息!

东芝 (Toshiba)

东芝 (Toshiba)

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

会员中心 微信客服
客服
回到顶部