特色
- 低阈值电压（VGS（th）：0.5 V−1.5 V）。
- 易于在低电压下驱动。
- 微型表面安装组件
- 它节省了电路板空间。
应用
- 低功率开关。
- 数字开关。
- 任何低电流汽车应用。
- 信息娱乐（娱乐、多媒体和导航系统等）
- 车身控制模块（BCM、遥控钥匙、网关、低频系统、HVAC等）
- 安全系统
（图片：引出线）
BVSS138LT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta） 最大功耗: 225毫瓦（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.89716 | 2.89716 |
| 10+ | 2.14389 | 21.43898 |
| 100+ | 1.21246 | 121.24610 |
| 500+ | 0.80309 | 401.54650 |
| 1000+ | 0.61571 | 615.71900 |
| 3000+ | 0.53539 | 1606.18500 |
| 6000+ | 0.48187 | 2891.22000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥2.89716
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.90
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50 pF @ 25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安（Ta）
- 漏源电压标 (Vdss) 50 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@1毫安
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 最大功耗 225毫瓦（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 3.5欧姆@200毫安，5V
- 色彩/颜色 -
BVSS138LT1G 产品详情
汽车功率MOSFET是低功率应用的理想选择。50V，200mA，3.5欧姆，单N通道，SOT-23，逻辑电平，无铅，符合RoHS。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
BVSS138LT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BVSD-2032-COVER | 内存保护设备公司 (MPD) | 配套使用/相关货物: BVSD-2032-PC-ND和BVSD-2032/SM-ND 附件种类: 盖 包装: 散装 系列: Snap Dragon | ¥3.69388 |
 | BVSD-2032-SM | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Holder (Open, Cover Required) 电芯尺寸: 硬币，20.0毫米 电池数量: one 端接样式: SMD（SMT）选项卡 电池系列: 2032 包装: 托盘 | ¥14.26851 |
 | BVSD-2032-PC | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Holder (Open, Cover Required) 电芯尺寸: 硬币，20.0毫米 电池数量: one 端接样式: PC引脚 电池系列: 2032 包装: 托盘 | ¥16.58624 |
 | BVS002A | 巴鲁夫 (Balluff) | APPLICATION=OBJECT INSPECTION, R | ¥715.68705 |
 | BVS002F | 巴鲁夫 (Balluff) | APPLICATION=OBJECT INSPECTION, A | ¥11,780.04897 |
| BVS-A-R002-1.0 | 伊萨普兰 (Isabellenhuette) | 阻值：2mΩ 精度：±1% 功率：2W | ¥4.61365 |
| BVS-A-R004-1.0 | 伊萨普兰 (Isabellenhuette) | 电阻类型：采样电阻 阻值：4mΩ 精度：±1% 功率：4W 安装方式：贴片 | ¥4.72925 |
| BVS-M-R0005-1.0 | 伊萨普兰 (Isabellenhuette) | 阻值：0.5mΩ 精度：±1% 功率：5W | ¥5.80122 |
| BVS-M-R0003-1.0 | 伊萨普兰 (Isabellenhuette) | 电阻类型：分流器 阻值：0.3mΩ 精度：±1% 功率：3W 安装方式：贴片 | ¥6.0009 |
| BVS-I-R002-1.0 | 伊萨普兰 (Isabellenhuette) | 电阻类型：采样电阻 阻值：2mΩ 精度：±1% 功率：6W 安装方式：贴片 | ¥6.43178 |
BVSS138LT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BVSS138LT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BVSS138LT1G价格参考￥2.897160，你可以下载 BVSS138LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BVSS138LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
