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SI7454DDP-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装一起工作。数据表注释中显示了用于SI7454CDP-T1-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及ThunderFET TrenchFET商品名，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为29.7W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为550pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为21A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为33mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为19.5nC@10V，Pd功耗为29.7W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为9 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为21 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgs第栅极-源阈值电压为3 V，Rds漏极源极电阻为33 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为12.8nC，正向跨导Min为19S。
SI7454CDP-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8。SI7454CDP-T1-GE3在PowerPAK®SO-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8、N沟道100V 22V（Tc）4.1W（Ta）、29.7W（Tc）表面安装PowerPAK？所以-8。
SI7454DP-T1是由VISHAY制造的Trans-MOSFET N-CH 100V 5A汽车8引脚PowerPAK SO T/R。SI7454DP-T1采用QFN封装，是FET的一部分-单个，支持Trans-MOSFET N-CH 100V 5A汽车8引脚PowerPAK SO T/R。
