9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB180N55F3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB180N55F3参考价格$6.26000。STMicroelectronics STB180N55F3封装/规格：MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK。您可以下载STB180N55F3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB170NF04是MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为66 ns，上升时间为57 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为80 a，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为26ns，沟道模式为增强型。
STB17-BLANK-5和用户指南，请联系技术支持团队了解更多STB17-BLANK-5信息。
STB180N10F3（带有由ST制造的电路图）是IC芯片的一部分。
