9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFL210TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFL210TRPBF参考价格为0.92000美元。Vishay Siliconix IRFL210TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223。您可以下载IRFL210TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFL110TRPBF是MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为在0.008826盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-261-4、to-261AA等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为1信道，该设备在SOT-223供应商设备包中提供，该设备具有单双漏极配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为180pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为540 mOhm@900mA，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.3nC@10V，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.4 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为1.5A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为540mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为6.9ns，沟道模式为增强。
IRFL210是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 0.96A SOT223。IRFL210以TO-261-4、TO-261AA封装形式提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH200V 0.96ASOT223、N沟道200V 960mA（Tc）2W（Ta）、3.1W（Tc）表面安装SOT-223、Trans MOSFET N-CH200V 0.96A 4引脚（3+Tab）SOT-223。
IRFL210TR是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 0.96A SOT223。IRFL210TRTO-261-4，TO-261AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 0.96ASOT223，N沟道200V 960mA（Tc）2W（Ta），3.1W（Tc）表面安装SOT-223。
