9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF740ASPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF740ASPBF价格参考2.72000美元。Vishay Siliconix IRF740ASPBF封装/规格：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK。您可以下载IRF740ASPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF740APBF是MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB，包括IRF/SIHF740Ax系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有125 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为10 a，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Rds导通漏极-漏极电阻为550mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IRF740ALPBF是MOSFET N-CH 400V 10A TO-262，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在400 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为24 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为IRF/SIHF740Ax系列，该器件的上升时间为35ns，漏极电阻Rds为550mOhms，Pd功耗为3.1W，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为10A，下降时间为22ns，配置为单一，通道模式为增强。
IRF740AS是由IR/VISHAY制造的MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK。IRF740AS采用TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK、N沟道400V 10A（Tc）3.1W（Ta）、125W（Tc）表面安装D2PAK和Trans MOSFET N-CH400V 10A 3-Pin（2+接线片）D2PAK。
